Cacbua silic thô

Cacbua silic 100 Grit Sự miêu tả

Các thiết bị điện tử công suất cao bán dẫn-thế hệ thứ ba do SiC đại diện là một trong những thiết bị bán dẫn công suất phát triển nhanh nhất trong lĩnh vực điện tử công suất.

 

Cacbua silic với tư cách là đại diện điển hình của thế hệ vật liệu bán dẫn thứ ba, nhưng cũng là trình độ sản xuất thiết bị và công nghệ sản xuất tinh thể trưởng thành nhất, một trong những vật liệu bán dẫn băng thông rộng được sử dụng rộng rãi nhất, đã hình thành nên chuỗi công nghiệp vật liệu, thiết bị và ứng dụng toàn cầu. Đây là vật liệu bán dẫn lý tưởng cho các ứng dụng-nhiệt độ cao, tần số- cao, khả năng chống bức xạ-và công suất{4}}cao.

 

 

 

 

Thông số kỹ thuật sản phẩm cacbua silic

Nhà cung cấp sản phẩm cacbua silic-ZhenAn International

 

 

PHÂN TÍCH HÓA HỌC ĐẶC BIỆT
SiC	99.05%
SiO2	0.20%
F,Si	0.03%
Fe2O3	0.10%
F.C	0.04%
ĐẶC TÍNH VẬT LÝ ĐẶC BIỆT
độ cứng:	Moh: 9,5
Điểm nóng chảy:	Thăng hoa ở 2600 độ
Nhiệt độ dịch vụ tối đa:	1900 độ
Trọng lượng riêng:	3,2g/cm³
Mật độ khối (LPD):	1,2-1,6 g/cm3
Màu sắc:	Màu xanh lá
Hình dạng hạt:	lục giác

 

Nhà sản xuất Silicon Carbide 100 Grit-ZhenAn International

 

Nhà cung cấp bột SiC-ZhenAn

 

Tính chất cơ học:độ cứng cao (độ cứng Kjeldahl 3000kg/mm2), có thể cắt được hồng ngọc; khả năng chống mài mòn cao, chỉ đứng sau kim cương.

 

Tính chất nhiệt:độ dẫn nhiệt vượt trội so với đồng kim loại, gấp 3 lần Si và 8 đến 10 lần GaAs, tản nhiệt tốt, rất quan trọng đối với các thiết bị công suất cao.

 

Tính chất hóa học:khả năng chống ăn mòn rất mạnh, ở nhiệt độ phòng có thể chống lại hầu hết mọi tác nhân ăn mòn đã biết. Bề mặt SiC dễ bị oxy hóa để tạo ra một lớp SiO2 mỏng, có thể ngăn chặn quá trình oxy hóa tiếp theo của nó, ở nhiệt độ cao hơn 1700 độ, lớp màng oxit này tan chảy và phản ứng oxy hóa nhanh. SiC có thể hòa tan trong vật liệu tác nhân oxy hóa nóng chảy.

 

Tính chất điện:Khoảng cách dải tần 4H{1}}SiC và 6H{3}}SiC gấp khoảng 3 lần so với Si, gấp 2 lần so với GaAs; Cường độ điện trường đánh thủng của nó cao hơn một bậc so với Si và tốc độ trôi electron bão hòa gấp 2,5 lần so với Si. 4H-SiC có khoảng cách dải rộng hơn 6H-SiC.

 

36 Grit Silicon Carbide Hình ảnh chuyến thăm của khách hàng

 

Câu hỏi thường gặp

 

 

Hỏi: Giá có thể thương lượng được không?

Đ: Có, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi bất cứ lúc nào nếu bạn có bất kỳ câu hỏi nào. Và đối với những khách hàng muốn mở rộng thị trường, chúng tôi sẽ cố gắng hết sức để hỗ trợ họ.

Hỏi: Bạn có thể cung cấp mẫu miễn phí không?

Trả lời: Có, chúng tôi có thể cung cấp mẫu miễn phí cho khách hàng để họ kiểm tra chất lượng hoặc thực hiện phân tích hóa học, nhưng vui lòng cho chúng tôi biết các yêu cầu chi tiết để chúng tôi chuẩn bị đúng mẫu.

Hỏi: Khi nào bạn có thể giao hàng?

A: Thông thường, chúng tôi có thể giao hàng trong vòng 15-20 ngày sau khi chúng tôi nhận được khoản thanh toán trước hoặc L/C gốc.

Hỏi: Bạn có thể cung cấp báo cáo thử nghiệm do SGS hoặc cơ quan kiểm tra bên thứ ba-khác cấp không?

Đáp: Có, chúng tôi có thể thực hiện nếu khách hàng yêu cầu-báo cáo thử nghiệm của bên thứ ba.

Chúng tôi chân thành hy vọng được trở thành đối tác của bạn, chúng tôi hoan nghênh khách hàng mới và cũ đến tham quan hướng dẫn cũng như các hình thức đàm phán hợp tác thương mại khác nhau!

Chú phổ biến: cacbua silic thô, nhà sản xuất, nhà cung cấp, nhà máy sản xuất cacbua silic thô của Trung Quốc